2021 májusában a Massachusettsi Technológiai Intézet (MIT), a Nemzeti Tajvani Egyetem (NTU) és a világ legnagyobb fejlett chipeket gyártó bérgyártója, a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) közös erőfeszítésével valósult meg a legutóbbi áttörés, melynek középpontjában egy olyan eljárás állt, amely félfém bizmutot alkalmaz, és lehetővé teszi az 1 nanométernél kisebb félvezetők gyártását.

Most az IBM és a Samsung azt állítja, hogy a félvezetőtervezésben is áttörést értek el, az Interesting Engineering által megszerzett sajtóközlemény szerint új koncepciót mutattak be a tranzisztorok függőleges egymásra helyezésére, ami a VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) nevet viseli, és amelyben a tranzisztorok egymásra merőlegesen helyezkednek el, miközben az áram függőlegesen folyik.

Ez drasztikus változás a mai modellekhez képest, ahol a tranzisztorok laposan fekszenek a szilícium felületén, míg az elektromos áram oldalirányban áramlik – ezzel az IBM és a Samsung azt reméli, hogy a Moore-törvényt a nanolapkák küszöbértékén túlra is kiterjesztheti, ezáltal kevesebb energiát emészthetnek fel.

Hogyan nézhet ki mindez a processzorok szempontjából? Nos, az IBM és a Samsung azt állítja, hogy az ominózus funkciók megduplázzák a teljesítményt, illetve 85 százalékkal kevesebb energiát használnak fel, mint a FinFET-tranzisztorokkal tervezett chipek; ám nem ez a két cég az egyetlen, amelyik ezt a fajta technológiát teszteli.

Az Intel is kísérletezik egymásra helyezett chipekkel, ahogy arról korábban a Reuters hírügynökség is beszámolt:

„Azzal, hogy az eszközöket közvetlenül egymásra rakjuk, egyértelműen területet takarítunk meg. Csökkentjük az összeköttetések hosszát, és valóban energiát spórolunk, így nemcsak költséghatékonyabbá, de jobb teljesítményűvé is tesszük ezt a megoldást” – mondta Paul Fischer, az Intel Components Research Group igazgatója.