A közelmúltban tartott, részvényesek jelenlétében megrendezett gyűlésen a Samsung Devices Solutions részleg vezérigazgatója, Kyehyun Kyung elmondta, a vállalat folyamatosan javítja a félvezetőgyárak hozammal kapcsolatos rátáját.
A vezető kiemelte, minden egyes új node nagyobb komplexitást hoz magával, ezáltal a hozamarány végső javulásához időre van szükség, arról viszont nem árult el konkrét részleteket, meddig tarthat az átállás – írta a Digi Times.
Hivatalosan tehát még nem erősítették meg, hogy a Snapdragon 8 Gen 1 lapkakészlethez használt 5 nanométeres node hozamrátája mindössze 35 százalék, pedig korábban azt pletykálták, hogy az újgenerációs chipet azért nehéz legyártani, mert költséghatékonyság szempontjából hátrányt jelent más egységekhez, például a Samsung saját fejlesztésű Exynos 2100 SoC-jaihoz képest.
A hírek szerint az 5 nanométer alatti architektúra terén a dél-koreai techóriás még jócskán elmarad a TSMC sztenderdjeitől, ami arra késztetheti a Qualcommot, hogy a 3 nanométeres chipek előállítása érdekében gyártót váltson.
Mivel az Apple valószínűleg már lefoglalta magának a TSMC 3 nanométeres kapacitásának jelentős részét a jövőbeli A és M chipsetek számára, ezért elképzelhető, hogy más megoldást kell majd találniuk.